Eu掺杂KTiOAsO4的强光活化离子注入诱导的晶体

作者

崔晓军,蔡波,徐志豪,冯鹏,吴冰,刘冰,王亮玲

摘要

我们报道了Eu掺杂KTiOAsO₄的光学活化通过离子注入和晶格恢复过程中对发光活性的影响。注入 400 keV Eu 离子的 KTA 晶体的光学活化，离子通量为 5 × 10¹⁵离子/mm²正在调查。尽管植入会引起高损伤水平，但将Eu掺杂到KTA中会在4 K至300 K的温度范围内产生强烈的光致发光，最强峰出现在612 nm处，对应于⁵D₀-⁷F₂过渡。在600°C和700°C下，注入的KTA退火前后的晶格应变和拉曼光谱表明，退火后晶格缺陷得到有效恢复。此外，晶格损伤对离子注入Eu掺杂KTA光致发光的影响可以忽略不计，表明离子注入是获得强光致发光的重要方法。结果揭示了Eu注入KTA的光活化特性及其在波导量子储层中的应用吸引力。

图形摘要