光与物质共约束多光子光刻

作者

关玲玲,曹春,刘习,刘秋兰,邱轶薇,王晓兵,杨振耀,赖慧英,孙秋媛,丁晨亮,朱大钊,匡翠芳 & 刘旭

摘要

与传统光刻相比，无掩模多光子光刻技术能够制造任意纳米结构，成本低且更容易获得。由于不可避免的光学衍射势垒和邻近效应，多光子光刻的一个主要挑战是实现超高精度和理想的横向分辨率。在这里，我们展示了一种策略，即光和物质共限多光子光刻，通过结合光抑制和化学淬灭剂来克服这些问题。我们深入探讨了光与物质共约束多光子光刻的猝灭机理和光抑制机理。此外，数学模型有助于我们更好地理解淬灭剂和光抑制的协同作用可以获得最窄的自由基分布。通过使用光和物质共约束的多光子光刻，我们获得了 30 nm 的临界尺寸和 100 nm 的横向分辨率，这进一步缩小了与传统光刻的差距。