基于脉冲激光沉积的石墨烯和氧化铪忆阻器的异构集成

摘要：

“在过去的十年里，利用范德华为先进电子器件的各种材料的异质集成而增长。本文采用脉冲激光沉积技术在石墨烯/SiO₂/Si上生长HfO₂薄膜。由于石墨烯在标准氧化膜沉积条件下很容易损坏，因此需要调整工艺以最大限度地减少氧化和碰撞引起的损坏。为了确定降低石墨烯夹层中缺陷浓度的关键沉积参数，进行了系统的研究。为了评估石墨烯的质量，它主要依赖于拉曼光谱获得的数据，使用的方法超出了Tuinstra Koenig关系。结果表明，这些缺陷主要是等离子体羽流粒子高动能的结果。使用相对高的Ar工艺压力，确保了足够低的缺陷浓度，而不损害HfO₂薄膜的质量。这使我们能够成功地制备具有丝状开关的忆阻器件，利用石墨烯层作为底部电极。这项研究的发现可以很容易地转移到其他系统中，用于开发氧化物电子器件。”