以太赫兹线性/非线性反常霍尔电导率研究的莫尔TMD异质纳米带拓扑谷电子材料

作者

法尔扎内·沙耶甘法,阿里·拉马扎尼,哈米德雷扎·哈比比扬 & 穆罕默德·拉菲·迪兹纳布

摘要

扭曲的摩尔纹范德华异质结构有望为强相关材料提供强大的量子模拟平台，并在实验室中实现难以捉摸的物质状态，如拓扑状态。结果表明，当考虑自旋轨道耦合时，由于K谷中的价带和导带态倾向于形成巨大的带隙，扭曲过渡金属硫族化物异质纳米带的摩尔纹表现出非平凡的拓扑顺序。在扭曲的WS\/MoS\和WSe\/MoSe\的特征中，我们发现与拓扑平带相关的重费米子和强相关态的存在增强了远离魔角的异常霍尔电导率。通过能带分析，我们发现来自± K-valley的最顶层导带是完全平坦的，并带有自旋/谷Chern数。此外，我们证明了摩尔纹TMD异质纳米带中的非线性异常霍尔效应可用于操纵太赫兹辐射。我们的研究结果建立了VI族TMD纳米带的扭曲异质结构作为工程拓扑谷量子相和太赫兹非线性霍尔电导率的可调谐平台。