想象一个看不见的世界，我们周围环境看不见的细节以前所未有的清晰度展现出来。这不再是科幻小说中的东西，这要归功于Artilux的开创性工作以及他们在GeSi光子学技术方面的最新成就。在Neil Na博士的带领下，该团队最近开发了一种在室温下工作的高性能GeSi SPAD，预示着基于CMOS的SWIR传感和成像技术的新时代。
这篇论文发布在著名的《自然》杂志上，题为“锗硅单光子雪崩二极管的室温操作”，详细介绍了这一重大飞跃。这种新型GeSi SPAD能够在室温和高温下工作，标志着对低于200开尔文操作的传统要求的背离。这一进步不仅拓宽了SWIR传感技术的视野，而且在噪声等效功率方面树立了新的标杆，超越了现有的基于Ge的SPAD。暗计数率、单光子探测概率、定时抖动和后脉冲特性等关键参数都有了实质性的改进。这些增强功能在较低的击穿电压和减少的过量偏置下实现，为以前被认为遥不可及的各种应用铺平了道路。应用和影响
这一技术飞跃的影响是广泛而多样的。从TOF传感器和成像仪到LiDAR、生物光子学，甚至量子计算，Artilux GeSi SPAD的潜在用途既广泛又具有影响力。该技术功能最引人注目的演示之一是使用TOF技术捕获三维点云图像。仅此应用就说明了室温短波红外传感器可能对机器人、人工智能等技术产生的深远影响。
此外，这种新型SPAD的CMOS兼容性标志着朝着更易于访问和负担得起的SWIR技术迈出了关键一步。随着各行各业和研究人员都在寻求利用SWIR传感的力量，Artilux的突破提供了一个可能性的灯塔，有望彻底改变从自动驾驶汽车到环境监测等领域。CMOS光子学的新标准
Artilux的成就不仅代表了渐进式的改进，而且代表了光子学技术格局的根本转变。通过证明高性能GeSi SPAD可以在室温下工作，Neil Na博士和他的团队改写了基于CMOS的SWIR传感和成像的规则手册。这一突破为该领域树立了新的标准，无疑将刺激进一步的创新和探索。随着我们站在技术新时代的边缘，很明显，Artilux的工作不仅扩展了我们当前能力的边界，而且还照亮了前进的道路。在这个瞬息万变的环境中，影响的潜力是巨大的，得益于那些愿意挑战现状的人的开拓精神，让我们得以一窥看不见的未来。
