LiDAR 传感器对于实现高级驾驶辅助系统、自动驾驶和 AR/VR 等先进技术是必不可少的。特别是，AR/VR设备和智能手机中使用的中短程LiDAR需要更好的距离分辨率，以更准确地检测人或物体的形状，因此需要具有更好定时抖动性能的单光子探测器。
LiDAR 通过计算发射器发射的光子撞击物体、反射并返回接收器所需的时间来测量距离并创建 3D 图像。当接收器处的单光子探测器将光信号转换为电信号时，检测时间的微小差异称为“定时抖动”，该抖动值越小，可以识别物体的精度越高。
韩国科学技术研究院宣布，由后硅半导体研究所的Myung-Jae Lee博士领导的团队开发了一种“单光子雪崩二极管”，该二极管可以基于40nm背照式CMOS图像传感器工艺识别毫米级物体。
SPAD是可以检测单光子的超高性能传感器器件，开发难度极大，迄今为止，只有日本索尼公司基于其90nm背照式CMOS图像传感器工艺成功商业化了基于SPAD的LiDAR，并将其提供给苹果产品。索尼的SPAD比文献报道的背照式SPAD表现出更好的效率，但其约137~222ps的定时抖动性能不足以实现中短距离LiDAR应用所需的用户识别、手势识别和物体的准确形状识别。
KIST研发的单光子传感器元件将定时抖动性能显著提升了2倍以上，达到56 ps，距离分辨率也提高到8mm左右，作为中短程LiDAR传感器元件具有很大的应用潜力。特别是，由于SPAD是基于40nm背照式CMOS图像传感器工艺开发的，这是一种用于量产的半导体工艺，通过与SK海力士的联合研究，有望立即实现国产化和商业化。
KIST首席研究员Myung-Jae Lee表示：“如果作为半导体LiDAR和3D图像传感器的核心源技术商业化，它将大大提高我们在下一代系统半导体领域的竞争力，这是韩国的战略产业。
