英飞凌凭借其在磁性位置传感器方面的专业知识和成熟的线性隧道磁阻技术，宣布推出XENSIV TLI5590-A6W磁性位置传感器。
该传感器采用晶圆级封装，用于线性和角度增量位置检测。
该器件符合 JEDEC 标准 JESD47K，适用于工业和消费类应用，可用作光学编码器和旋转变压器的替代品。它适用于定位镜头以在相机中进行变焦和焦距调整。
该TLI5590是一款采用英飞凌TMR技术的低场传感器，专为大容量传感器系统而开发。因此，该传感器具有超高灵敏度、低抖动和低功耗。
与线性霍尔传感器相比，TMS 传感器可以提供更好的线性度、更低的噪声和更低的迟滞。高信噪比和低功耗可实现经济高效的磁性设计，同时降低电池消耗。
因此，该传感器能够在快速变化的方向下进行准确检测。TLI5590由两个TMR惠斯通电桥组成，其中TMR电阻取决于外部磁场的方向和强度。与多极磁铁相结合，每个电桥提供差分输出信号，即正弦和余弦信号。这些可以进一步处理以进行相对位置测量。
该传感器采用小型 6 球晶圆级封装 SG-WFWLB-6-3，由于集成密度更高，传感器尺寸减小，从而支持微系统中的小型化和位置检测。
TLI5590-A6W 可通过使用合适的线性或旋转磁编码器实现优于 10 μm 的高精度进行精细测量。该传感器具有高达 +125°C 的扩展工作温度范围，可灵活用于各种工业和消费类应用。此外，其高温稳定性使其适合在恶劣环境中使用。
