激光网2月24日消息，东芝电子元件与存储装置株式会社在其最新一代产品中增加了DTMOSVI，这是一种带有高速二极管的功率MOSFET，适用于开关电源，包括数据中心和光伏功率调节器。
DTMOSVI系列采用超强结结构。TO-247封装的前两款产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”即日起发货，分别是采用TO-247封装的650V N沟道功率MOSFET。
新产品采用高速二极管提高反向恢复对桥式电路和逆变器电路应用很重要的特性。与标准 DTMOSVI 相比，它们将反向恢复时间缩短了 65%，反向回收费用降低 88%。
新产品中使用的DTMOSVI工艺改进了东芝DTMOSIV系列高速二极管的反向恢复特性，并在高温下具有较低的漏极截止电流。“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数也较低。TK042N65Z5的高温漏极截止电流约为 90 %更低，漏源导通电阻×栅极漏极电荷比东芝目前的TK62N60W5低72%.
这一进步将减少设备功率损耗并有助于提高效率。在1.5 kW LLC电路中测得的TK042N65Z5显示，与电流TK62N60W5相比，电源效率的最大改进约为0.4%.
使用TK095N65Z5的参考设计“1.6 kW服务器电源”现已在东芝的网站上提供。该公司还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供可准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝计划通过发布TO-220和TO-220SIS通孔封装以及TOLL和DFN 8×8表面贴装封装的器件来扩大DTMOSVI产品线。
此外，DTMOSVI系列产品阵容还将持续扩大，超越已发布的650V和600V产品以及采用高速二极管的新产品。这将提高开关电源的效率，为设备的节能做出贡献。
