比利时纳米电子创新中心imec和日本化学公司三井化学宣布建立战略合作伙伴关系，将极紫外半导体光刻下一代系统的关键组件商业化。
该合作伙伴关系的重点是EUV薄膜，这是一种薄而透明的薄膜，可保护EUV光掩模在生产过程中免受潜在的灾难性污染。imec与三井物产的合作旨在在2025-26年将基于碳纳米管的新薄膜设计投入商业生产，与提高EUV光刻光源功率的计划同步。
EUV光刻技术已经爆炸式增长，需要在半导体集成电路上以越来越小的规模封装越来越多的功能，从而使摩尔定律尽可能长时间地发挥作用。EUV光刻设备市场主要由荷兰巨头ASML拥有，该公司生产和销售先进、复杂的机器，通过发射重复CO产生13.5纳米EUV光2-激光脉冲到熔融锡液滴上，以产生以EUV波长辐射的等离子体。然后，EUV辐射通过专用光学器件分流到扫描仪上，以纳米级尺寸进行光刻图案化。
这些光源雕刻的特征的超小尺寸增加了保护EUV领域中使用的非常昂贵的光掩模的风险，对于某些应用，每个光掩模都可能花费数十万美元，免受杂散颗粒的污染。在实际生产中，这种污染会严重影响产量。EUV薄膜大多对EUV光透明，铺设在光掩模上以提供所需的保护。
直到几年前，ASML本身还是EUV薄膜的唯一供应商，但最近已将这些膜的组装和生产转移给三井化学。选定的其他供应商也为EUV光刻终端用户销售薄膜。
imec与三井物产的合作伙伴关系旨在创造适应下一代EUV光源技术的薄膜，该技术在2025-26年之前将功率超过600 W，以实现更高质量的纳米级光刻。这些组织将瞄准的薄膜技术使用碳纳米管技术来提高膜的性能。
根据imec和Mitsui的新闻稿，基于CNT的薄膜以非常低的EUV反射率透射超过94%的EUV光，并且可以承受超过1000 W的EUV功率水平。
根据联合安排，根据新闻稿，三井物产将“将imec基于碳纳米管的基本薄膜创新整合到三井化学的碳纳米管薄膜技术中，以实现完整的生产规格”，以便在2025-26年期间及时过渡到更高功率的EUV系统。该合作伙伴关系将包括“imec为三井化学的商业化提供咨询和EUV扫描仪验证”。Mitsui 和 imec 表示，基于 CNT 的薄膜的特性“引起了在大批量生产中使用 EUV 光刻技术的公司的浓厚兴趣。
imec高级副总裁Steven Scheer在imec-Mitsui新闻稿中表示，该公司多年来一直致力于提高基于CNT的薄膜的能力，“我们相信，我们对CNT膜的计量、表征、性能和性能的深入了解将加速三井化学的产品开发。“我们希望共同将CNT薄膜投入生产，用于未来几代EUV光刻技术。”
