美光已交付HBM3E内存样品 预估明年会有订单入账

　　SK 海力士的 HBM3E 内存迎来新竞争对手--美光。美光科技表示新款 HBM3E 同样可以达到 1.2 TB / s 的速度，而且已经向英伟达等客户交付样品，预估明年会有订单入账。

　　美光的 HBM3E 内存采用 eight-tier 布局，每个堆栈为 24 GB，采用 1β 技术生产，具备出色的性能。

　　美光表示旗下的 HBM3E 内存在提供和友商相同级别的性能之外，其成本会比其它友商更低。美光表示明年开始商业出货，目前正在寻求这些产品的认证，以满足英伟达的要求。

　　注：HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直连接多个 DRAM，可显著提升数据处理速度，HBM DRAM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展(Extended)版本。

原标题：美光已交付 HBM3E 内存样品：可达 1.2 TB/s 速度，且成本更低