根据国家知识产权局的最新公告，深圳市三利谱光电科技股份有限公司成功申请了一项名为“拼接偏光片及拼接偏光片制造方法”的专利(公开号CN117666007A，申请日期：2023年12月)。这一创新在光学薄膜技术领域掀起了一场革命，特别是在拼接偏光片及其制造方法方面取得了重要突破。
专利摘要详细介绍了这一创新专利的关键构造。拼接偏光片包括基板膜层、非偏光材料层、第一胶层、第二薄膜层、第二保护膜层、第二胶层和离型膜层。其中，基板膜层包括聚乙烯醇薄膜层和第一薄膜层。拼接偏光片通过这一巧妙的构造，实现了偏光部分和非偏光部分的精准分隔。
这项技术创新的亮点在于能够满足屏下相机的透光性能需求。同时，非偏光材料层的设置有效阻隔外界异物进入相机与偏光片之间的区域，避免相机镜头积灰的问题。相较于传统的物理打孔方法，这一技术不仅克服了偏光片易开裂和打孔区域产生气泡的问题，还为屏下相机技术提供了更稳定的解决方案。
在克服普通物理打孔的问题的同时，该技术还解决了化学加工导致偏光区域精度难控制、偏光区域边界模糊的难题。这一综合性的技术创新，使得拼接偏光片的制造更加精确、稳定。
深圳三利谱光电科技的这一技术突破不仅将为屏下相机的发展提供新的可能性，也在光学领域奠定了更为坚实的基础。随着这一技术的商业应用，我们有望看到更多智能设备采用这一创新技术，为用户带来更为高质量的屏幕体验。
