晶合集成新近获得一项发明专利授权，该专利名为“光学临近效应修正建模方法及装置”，进一步推动了半导体制造技术的创新发展。这一专利涉及的光学临近效应修正建模方法为半导体行业注入了新的活力。
该专利涉及半导体制造技术领域，通过一种光学临近效应修正建模方法及装置，为晶圆中至少一层膜层的修正提供了创新的解决方案。其中，不同层膜层对应的修正标准范围的差异性成为了关键点。
该方法的核心在于通过目标光学项内核和目标数学项内核，使修正模型的幅值在修正标准范围内得到满足，从而提高了晶圆的光学临近效应修正建模的效率及准确度。
这项专利的创新之处在于其能够避免产生过度适配光刻刻蚀光学近邻效应(OPC)模型的问题，从而提高了OPC模型的建立效率和准确度。这对于半导体行业来说具有重大意义，因为高效准确的OPC模型是确保半导体制造过程稳定、高效运行的关键。
晶合集成新近获得的这项专利是其近期专利授权的一个亮点。今年以来，晶合集成新已获得专利授权11项，较去年同期增加了37.5%。
结合公司2023年中报财务数据，可见其在研发方面投入了5.02亿元，同比增长27.46%。这显示出公司对技术创新的高度投入，并通过专利的持续收获取得了显著的成果。
