为推动科技创新，久之洋新在2024年1月23日取得了一项发明专利的授权，专利名为"大尺寸红外光学元件低应力保护增透薄膜的制备方法"(专利申请号：CN202210417379.0)。
首先，对大尺寸红外光学元件进行无损清洗，确保表面干净，为后续工艺提供良好基础。
采用离子辅助电子束蒸发工艺，依次在清洗后的表面镀制光学过渡层及应力匹配层，形成张应力层。张应力层的特性包括厚度不低于400nm，应力值不低于200MPa。
通过RF-PECVD法在张应力层上制备类金刚石薄膜，作为压应力层。厚度不高于700nm，压应力不高于350MPa。这一步骤形成大尺寸红外光学元件低应力薄膜。
新获得的专利为大尺寸红外光学元件提供了一种低应力保护增透薄膜的制备方法。通过特殊的制备工艺，解决了大尺寸红外光学元件成膜应力高的问题，有效避免了膜层脱落，提升了大尺寸红外光学元件在恶劣环境下的适应性和可靠性。
今年以来，久之洋新共获得2项专利授权，较去年同期减少了33.33%。结合公司2023年中报财务数据，公司在研发方面的投入为3831.47万元，同比减少了4.95%。这一发明专利的成功取得，为公司未来的科技研发奠定了坚实基础。
