台积电申请光学器件及其制造方法专利 为倏逝耦合提供了更为灵活的实现方式

在国家知识产权局的最新公告中，台湾积体电路制造股份有限公司成功申请了一项名为“光学器件及其制造方法”的专利，公开号为CN117420635A，申请日期为2023年9月。这一专利的公开引起了广泛关注，窥见了光学器件领域的新发展。

根据专利摘要显示，这项专利涉及光学器件及其制造方法，具体特征包括激光管芯或其它异构器件嵌入在光学器件内，并且实现了倏逝耦合至其他器件。其中，倏逝耦合的方向可以从激光管芯至波导、至外腔、至外部耦合器或者至中介层衬底实施。

专利的创新之处在于激光管芯或其他异构器件的巧妙嵌入光学器件内部。这种设计不仅能够有效地整合不同器件，还为倏逝耦合提供了更为灵活的实现方式。

倏逝耦合并非单一方向，而是可以实现多方向的倏逝耦合，包括从激光管芯至波导、至外腔、至外部耦合器，甚至至中介层衬底。这种多样性的倏逝耦合方案为光学器件的功能性拓展提供了更广泛的可能性。