根据国家知识产权局的最新公告，合肥晶合集成电路股份有限公司成功申请了一项引人注目的专利，专利名为“一种半导体器件的光学量测结构及其量测方法”，公开号CN117410276A，申请日期为2023年12月。
这一专利揭示了一种半导体器件的光学量测结构及其量测方法，其中半导体器件上设置了切割道。光学量测结构包括多个参照标记，设置在切割道中，且参照标记位于半导体器件的前层堆叠层中。此外，辅助量测图案设置在半导体器件的当层堆叠层中，位于切割道中，且与切割道侧壁的距离大于等于安全阈值。主体量测图案也设置在当层堆叠层中，位于切割道中，但与切割道侧壁的距离小于安全阈值，并且主体量测图案的侧壁相较于参照标记的侧壁倾斜。这一设计能够显著提升半导体器件的制造良率。
专利中提到的切割道、参照标记、辅助量测图案和主体量测图案的巧妙组合，为半导体器件的光学量测提供了全新的结构和方法。通过合理设置安全阈值，确保辅助量测图案与切割道侧壁的距离在安全范围内，从而避免潜在的制造风险。主体量测图案的侧壁倾斜设计则提高了光学量测的准确性。
专利中规定参照标记位于半导体器件的前层堆叠层中，进一步提高了测量的准确性和可靠性。这种前沿位置的设置有助于更精细地监测器件的制造过程，确保每个步骤都能够达到设计标准。
今年以来，晶合集成电路以这一“半导体器件的光学量测结构及其量测方法”专利的成功申请再次展示了其在集成电路领域的技术实力。这项专利的成功取得，为公司的科技创新和产业发展注入了新的活力。
公司一直以来致力于追求卓越，通过创新的科技手段不断推动半导体行业的发展。这一专利的成功申请不仅是技术实力的体现，更是公司在科技创新方面持续努力的成果。
