铌酸锂薄膜集成量子光学相位传感器

　　光量子噪声归因于来自相干光源的光子的随机到达时间，这从根本上限制了光学相位传感器的发展和应用。压缩态的工程源可以抑制这种光量子噪声，并允许相位检测灵敏度超过量子噪声极限(QNL)。我们迫切需要一种在可部署的量子传感器中使用量子光的方法来实现在QNL之外的测量。

　　近日，斯坦福大学的Amir H. Safavi-Naein教授团队提出了一种满足这些要求的薄膜铌酸锂的光子集成电路。利用二阶非线性产生与泵浦光相同频率的压缩态，实现光电电路控制和传感。使用26.2毫瓦的光功率，作者测量了(2.7 ± 0.2)%的压缩，并应用它来提高相位测量的信噪比。作者预计，像这样以低功率运行的光子系统，并在单个芯片上集成所有所需的功能，将为量子光学传感提供新的机会。