大邱庆尚北科学技术学院透露了电子工程与计算机科学系Hyuk-jun Kwon教授团队的突破。该团队以博士学者Bong-ho Jang为主要作者，创新了一种高质量氧化膜的新制造工艺。该工艺有助于在较低温度下实现高效的图形化，并已成功用于创建非易失性电阻式随机存取存储器 (RRAM)。
这一进展发布在《材料科学与技术杂志》上，有望增强下一代计算系统，解决当前制造方法的局限性，并生产具有卓越耐用性的存储器。
在人工智能、大数据和物联网设备等以数据为中心的计算系统快速发展的背景下，对下一代非易失性存储器的需求不断增长。这种内存类型因其高耐用性、更快的操作速度和能源效率而受到追捧。通过电流改变存储器数据的 RRAM 处于这一需求的最前沿。
该团队专注于“解决方案工艺技术”，这是一种很有前途的开发RRAM的方法，以其具有成本效益的大规模制造而闻名。然而，该技术传统上在高温下运行，在实现均匀图案化方面面临挑战。
为了克服这些问题，权教授的团队将“燃烧合成技术”与解决方案相结合。燃烧合成利用燃烧过程中产生的热量，利用放热反应进行材料合成。这种方法有效地规避了对外部高温条件的需求。利用这种方法，该团队成功生产了高质量的氧化锆薄膜，并通过在较低温度下与紫外光的光化学反应实现光图案化。
该研究进一步导致使用这种新技术生产电阻式随机存取存储器。由此产生的RRAM具有出色的耐用性，可承受超过1000次循环，即使在高温条件下也能保持数据保留超过100000秒。
这项研究并不是权教授第一次涉足低温技术。他之前的工作涉及应用燃烧合成来生产SnO2薄膜晶体管。目前的研究扩展了该技术的潜力，超越了现有解决方案处理方法的范围，开发了一种创新类型的RRAM。
来自电机工程和计算机科学系的权教授表达了他对结果的热情。他强调了对现有解决方案工艺技术的重大改进，并预测了对下一代密集计算系统的发展和基于解决方案工艺的电子设备的大规模生产的影响。
