来自外来元素的替代掺杂是精确定制原始材料的电子能带结构、传导类型和载流子浓度的首选方法。例如，在三维单晶硅领域，引入硼和氮原子分别作为受体和供体掺杂剂，已被证明在增强载流子迁移率方面非常有效。这种改进使硅在集成电路中的高级应用中处于领先地位。
扩展到二维半导体领域，二硫化钼在未来的光电器件中具有巨大的潜力。然而，二维材料的可控掺杂策略及其未来的应用方向仍需进一步探索。作为材料科学的新前沿，对二维材料中最佳掺杂方法的探索不断展开，为光电子领域的空前进步铺平了道路。
由中国湖南大学的Anlian Pan、Dong Li和Shengman Li领导的研究人员致力于开创大面积、高质量和低缺陷密度2D半导体的合成。他们的研究重点是揭示这些材料的光电特性，并探索它们在未来器件应用中的潜力。
建立在制备高迁移率纯MoS2的基础上，研究人员深入研究了外来取代掺杂领域，引入了钒原子。他们的方法旨在微调MoS的转移特性2通过改变V掺杂浓度。值得注意的是，他们的调查显示，V掺杂的MoS2低掺杂浓度的单层表现出增强的B激子发射，在宽带光电探测器中的应用前景广阔。
这项工作的标题为“V掺杂MoS2的蒸气生长”具有增强的 B 激子发射和宽光谱响应的单层“，于 2023 年 12 月 7 日发布在 Frontiers of Optoelectronics。这项研究为二维半导体的发展及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。
