根据国家知识产权局公告，三星电子株式会社成功取得一项名为“极紫外曝光设备和半导体装置制造方法”的专利，授权公告号CN111880374B，申请日期2019年12月。
该专利公开了一种极紫外(EUV)曝光设备以及利用该设备制造半导体装置的方法。具体设备包括：
EUV源： 在特定室内产生EUV束的装置。
光学系统： 位于EUV源上方，将EUV束提供到半导体基底。
基底台： 用于接收半导体基底的装置。
掩模台： 保持掩模并将EUV束投射到基底上的装置。
等离子体源： 将等离子体提供到掩模，使掩模通过EUV束充电并保持电中性。
这项专利描述了一种先进的极紫外曝光设备和半导体装置制造方法，其包含了对EUV光源和光学系统的创新设计，以及在半导体制造过程中用于掩模处理的等离子体源的精准使用。这种技术有望提高半导体制造的效率和质量。
该专利的授予意味着三星电子在极紫外曝光设备领域取得重要突破，这一先进技术有望在半导体产业中发挥重要作用，提升生产效率和半导体装置的质量水平。
