日本半导体加工设备制造商高鸟株式会社最近推出了一款针对碳化硅(SiC)晶圆的全新切割设备，将该领域带入新的前沿。这项创新不仅支持目前6吋晶圆的切割，更能处理直径达10吋的晶圆，大幅提高了半导体芯片的生产效率。
这款切割设备对直径为10吋的晶圆具有独特优势。相较于硅基功率半导体，碳化硅材料拥有更低的功耗，在电动汽车(EV)等领域需求迅速增长。随着晶圆尺寸的增大，可切割芯片的数量也相应增多。因此，晶圆厂商正在积极向着更大尺寸的晶圆迈进，已经从6吋转向8吋，并进一步朝着更大的晶圆尺寸发展。
碳化硅的制备工艺中，晶体的生长和切割是关键环节。然而，由于碳化硅的高硬度和脆性，其切割过程耗时且容易出现裂片。切割出厚度均匀、翘曲度小的高质量SiC晶片一直是技术面临的挑战。
在过去，针对高硬脆材料的切割常采用涂有金刚石微粉的内圆锯，但这种方式切割出的切缝较大，损耗严重，对切割尺寸有限制。从20世纪90年代中期开始，线锯切割技术逐渐发展，切缝更窄、切割更均匀且翘曲度更低。目前，线锯切割技术已成为主流。
高鸟株式会社专注于砂浆线切割工艺，他们研发的多线切割设备可以同时从直径为10吋的硅棒上切割出多片晶圆。据悉，该公司已获得部分海外客户的大额订单。
高鸟不仅推出了新款设备，还着眼于满足客户更多需求，计划在2023年12月推出一款名为“GLAPPING-SiC”的综合型设备。他们的目标是到2026年累计销售200台，以提升客户工厂的自动化效率、减少人为操作失误。
