852nm窄线宽半导体激光器问世

在半导体激光器领域，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的研究团队近期取得了引人瞩目的进展。他们成功报道了一项基于外部光反馈结构的852nm窄线宽、线偏振半导体激光器，为量子精密测量和原子精细能级跃迁开辟了全新的可能性。

在这项突破性研究中，陈超副研究员领导的团队采用了飞秒激光诱导的双折射Bragg光栅滤波器与高偏振相关性半导体增益芯片相结合的创新结构。这一结构不仅成功实现了超过30dB偏振消光比，更将激光输出线偏振降至仅有2.58kHz的极低水平。

量子精密测量的关键在于窄线宽激光器的研发，能够实现原子精细能级跃迁和量子态探测。这项研究成果为克服传统测量手段的限制，实现了测量精度、灵敏度和稳定性全面超越的新方法，开启了量子测量领域的新里程碑。

这款窄线宽、线偏振半导体激光器有望成为量子精密测量系统的潜在原子泵浦光源。更进一步，在之前关于抗辐射和窄线宽激光器方面的研究基础上，该技术也有望应用于星载和箭载的冷原子量子实验系统，为空间环境中的量子科学研究提供新的可能性。