光迅科技申请半导体激光器专利 有效提高激光器可靠性

　　据国家知识产权局公告，武汉光迅科技股份有限公司的创新成果涉及一种“半导体激光器芯片与制备方法”，公开号CN117154532A，于2022年5月提出申请。

　　该项创新在半导体激光器芯片的制备过程中做出了重要突破，其中：

　　复合膜应用：在腔面周围采用复合膜作为保护膜，成功解决了金属层碎屑附着的难题，提高了制备效率和可靠性。

　　电极制作优化：采用分两次电极制作，结合优化解理过程和离子辅助镀膜技术，有效改善激光器的性能与稳定性。

　　这些关键技术措施的应用，有望为半导体激光器的生产提供更高效、更可靠的制备方法。

　　该项技术创新的应用将：

　　提高生产效率：解决了激光器制备过程中的瓶颈问题，有望提高生产效率与稳定性。

　　促进产业进步：对半导体激光器行业具有重要意义，有望推动行业技术发展与进步。

　　这一创新对半导体激光器行业具有显著意义，为行业提供了更为可靠的制备方法，有望带来更广阔的应用前景。

　　武汉光迅科技股份有限公司在半导体激光器芯片制备方法领域的创新，为相关行业带来了新的技术路径。这一科技成果有望在推动激光器技术进步、提高生产效率和质量方面发挥重要作用。