香港科技大学团队开发出耦合III-V与硅的技术

香港科技大学(HKUST)的研究团队在面向数据通信的光电集成领域取得了突破性进展。他们成功开发出一种名为横向纵横比捕获(LART)的技术，实现了III-V族化合物半导体器件与硅的完美集成，为光子集成电路的低成本、大容量、高速发展奠定了坚实基础。

由薛莹和刘纪美领导的团队开发的LART技术，是一种全新的选择性直接外延方法。该技术使得在绝缘体上硅(SOI)上实现III-V族材料的选择性横向生长成为可能，无需较厚的缓冲层。通过这一方法，实现了面内III-V族激光器，使得III-V族激光器能够与硅在同一平面内高效耦合。

薛莹表示：“我们的方法成功解决了III-V族器件与硅的失配问题，实现了III-V族器件的卓越性能，让III-V族器件与硅的耦合变得更加简单高效。”这一突破性技术不仅性能出色，而且制备过程简单，为光电融合领域的进一步发展提供了强大动力。