英诺激光申请LED芯片专利 优化结构使制备过程更加高效便捷

根据国家知识产权局公告，英诺激光科技股份有限公司成功申请了一项颇具前瞻性的专利技术，题为“一种对称的LED芯片及其制备方法”，公开号CN117766658A，申请日期为2023年12月。

这一创新专利揭示了一种全新的对称LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片技术领域。该LED芯片包括内芯、绝缘层、N电极以及P电极;P电极贯穿内芯中间所设的通孔;N电极位于内芯外延两侧，对称设置;内芯与N电极之间、内芯与P电极之间还设置有绝缘层。

这一对称LED芯片优化了LED结构，实现了结构的对称性，无论LED芯片是正放还是倒放，N电极和P电极均能够进行共晶接触，制备过程更加高效便捷，适用范围更广。

该创新技术的出现将为LED行业带来革命性的变革。传统LED芯片结构存在方向性要求，而该对称LED芯片突破了这一限制，极大地提高了LED芯片的制备效率和可靠性。此外，该技术的应用范围更广，不仅可用于常规LED产品，还可以拓展至各种LED光源应用领域，为LED行业的发展注入新的活力。