在科技不断进步的今天，国家知识产权局公告了一项引人注目的专利，由北京华卓精科科技股份有限公司成功取得。这项专利名为“一种SiC基半导体的激光退火方法”，为其授权公告号为CN113345806B，申请日期则为2021年4月。
专利摘要显示，这一创新涉及SiC基半导体的激光退火方法，为半导体制备领域带来了新的可能性。以下是专利的关键内容：
金属膜参数确定
金属类型： 定义SiC基底上的金属膜的种类。
金属膜厚度： 规定金属膜的厚度，为激光参数设定提供基础。
激光参数设定
功率密度： 确定激光器的功率密度，影响激光退火效果。
脉宽： 设定激光的脉宽，为对SiC基半导体的退火处理提供准确控制。
采用半导体激光器实现SiC基半导体的欧姆接触激光退火。
可替代成本较高的固体激光器，具备较大的成本优势。
半导体激光器的功率密度和脉宽易于调节，可根据不同金属类型、不同膜厚进行激光参数调节。
低功率密度也可对更厚的金属膜进行激光退火，满足更广泛的工艺应用范围。
这项专利的授权标志着在SiC基半导体制备领域迈出了重要一步。采用半导体激光器进行欧姆接触激光退火，不仅在成本上具备显著优势，而且能够灵活适应不同工况的金属类型和膜厚，拓宽了工艺应用范围。这意味着更高效、更经济、更灵活的SiC基半导体制备方法将在未来得到广泛应用。
