根据国家知识产权局的公告，北京华卓精科科技股份有限公司近期成功取得一项名为"一种长波长激光退火方法及装置"的专利，授权公告号CN112435920B，申请日期为2020年11月。
这项专利涉及半导体行业的激光退火技术领域，其中激光退火方法采用脉冲信号的激光输出对晶圆进行退火处理。而独特之处在于，采用长波长的半导体激光光源，为整个方法注入更先进的技术元素。
在激光退火方法中，该技术以长度为1-10mm，宽度为30-500um的光斑尺寸为实际应用光斑尺寸。这种精准的光斑设计使得激光能够更精细地作用于晶圆表面，提高了退火效果。
关键的功率密度范围也得到了创新调控，退火时的功率密度P范围为200-5000kW/cm。这一合理范围的功率密度不仅能够满足退火处理的需求，还有效避免了过高或过低功率密度对晶圆的潜在影响。
这一长波长激光退火方法及装置的成功研发，标志着北京华卓精科在半导体行业激光退火技术方面的领先地位。其技术优势主要体现在更先进的激光光源选择、精准的光斑设计以及合理的功率密度范围调控。这不仅将提高半导体生产制程的效率，同时有望推动整个行业的技术水平向前迈进。
这项专利技术的成功取得，不仅是对北京华卓精科实力的肯定，更是为中国半导体产业升级注入新的动力。激光退火技术的不断创新将推动半导体制造业实现更高质量的生产，为我国高科技产业的发展贡献重要力量。
