近日，由韩国科学技术研究院(KIST)和SK海力士的研究团队合作，成功开发出一种基于商用40nm背光CMOS图像传感器工艺的短距离单光子雪崩二极管(SPAD)。这一技术突破将为激光雷达和3D影像传感器领域带来革命性的发展，为韩国半导体技术的全球领先地位注入新的活力。
SPAD作为一种能够探测单个光子的先进传感器，其研发一直面临着极大的难度。目前，仅有日本索尼公司在激光雷达领域成功商业化SPAD，并为苹果公司提供产品。然而，现有的SPAD设计在定时抖动性能方面存在不足，难以满足用户识别、手势识别和精确形状识别等短距离和中距离激光雷达应用的需求。
由Myung-Jae Lee博士领导的后硅半导体研究所团队与SK海力士合作，共同研发出一种新型单光子传感器元件。这一元件在定时抖动性能上取得了显著提升，达到了令人瞩目的56ps，同时将距离分辨率提高到了约8毫米。这一突破性成果在中短距离激光雷达传感器元件领域展现出了巨大的潜力。
这一新型单光子传感器元件是基于40纳米背光CMOS图像传感器工艺进行开发的，具备大规模生产的能力。预计这项技术将迅速实现国产化和商业化，为韩国在半导体技术领域的创新实力提供了有力支持。
KIST首席研究员Myung-Jae Lee表示：“如果我们将这种半导体激光雷达和3D影像传感器作为核心技术进行商业化推广，韩国在全球半导体市场的竞争力将得到极大提升。"这一研发成果不仅是技术上的巅峰，更为韩国在全球半导体产业的领导地位注入了新的活力。
