清华大学取得基于激光的单颗粒微电极制备装置专利 激光融化连接材料的过程中无需真空环境

近日，国家知识产权局发布公告，清华大学成功取得了一项名为“基于激光的单颗粒微电极制备装置”的专利。这一突破性的专利的授权公告号为CN116460425B，而其申请日期可追溯至2023年3月。

这一专利涉及到一种基于激光的单颗粒微电极制备装置，其中主要包括以下核心组件：

操作平台

用于放置颗粒体，为后续制备提供稳定的工作平台。

激光器

具备初始投射路径，被配置为沿着该路径投射激光。这一激光的投射被设计为用于融化连接材料。

连接材料

融化后用于将颗粒体导电连接在提供的探针上。这一步骤的创新在于，连接材料的融化至冷却凝固过程不需要真空环境。

该制备装置的独特之处在于，激光融化连接材料的过程中无需真空环境，同时连接材料融化至冷却凝固的过程也无需真空环境。这一技术突破彻底摒弃了依赖FIB/SEM系统真空环境的传统方法。在每次制备单颗粒微电极后，无需更换探针，并且也无需重新抽真空，从而根本性地解决了传统制备方案中耗时冗长的问题。

这项基于激光的单颗粒微电极制备装置的成功研发不仅为微电极制备技术带来了前所未有的便利，更加速了微电极制备领域的创新步伐。