台积电申请静电场强度测量装置和方法以及半导体处理方法专利

最新消息，国家知识产权局公告显示，台积电制造股份有限公司已成功申请了一项名为“静电场强度测量装置和方法以及半导体处理方法”的专利，公开号为CN117452082A，申请日期为2023年9月。这一专利的公布揭示了台积电在半导体制造领域的最新创新成果，着眼于静电场强度测量技术。

该装置首要包括激光生成器件，其设计用于向半导体制造组件发射激光信号。这一设计使得激光信号能够精准地照射到半导体制造组件表面，为后续的静电场强度测量提供可靠的激光源。

在装置中，还包含反射检测器件，其任务是接收由半导体制造组件表面反射的激光信号所构成的反射信号。这一步骤是整个测量过程的关键，通过反射信号的分析，可以获取关于半导体制造组件表面静电情况的重要信息。

值得一提的是，光学滤波器的引入使得反射检测器件更为精准。该滤波器被设计用于阻挡反射信号中波长不在预定范围内的光，确保所接收的信号是经过精心筛选的。

整个装置中还包括一台计算机，其任务是基于反射信号产生的电信号进行数据处理。通过计算机的分析，可以准确地确定半导体制造组件表面的静电场强度测量值，为后续的半导体处理提供重要依据。