最新消息传来，国家知识产权局发布公告，英诺激光科技股份有限公司成功申请一项引领性专利，题为“芯片转移方法、芯片修补方法及显示面板”，公开号CN117410398A，申请日期为2023年10月。这一专利的问世将为芯片转移技术领域带来全新的创新方法，突破了传统的芯片修补模式。
根据专利摘要，本发明涉及芯片转移技术，提出一种先进的芯片转移方法、芯片修补方法及显示面板。芯片转移方法首先通过将第二转移载板粘附有芯片的一面与驱动基板贴合，实现芯片与驱动基板的连接。然后，去除第二基板，使光吸收层保留在芯片表面。通过激光照射芯片，光吸收层将激光能量转化为热能，传递至芯片与驱动基板的焊接部，对焊接部进行熔融，使坏点芯片容易被去除。接着，利用正常的芯片进行补休，而不会对驱动背板上的电路造成损伤。
在修补方法中，驱动基板上的芯片采用芯片转移方法转移到驱动基板表面，光吸收层保留在芯片表面。通过激光照射光吸收层，将异常芯片取下。同时，临时载板上的芯片表面也留有光吸收层，在修补至驱动基板表面后，与其余芯片一样易于被取下。这一创新修补方法使得对异常芯片的处理更加精准，而不会影响其他正常芯片的状态。
专利的独特之处在于光吸收层的巧妙运用。通过光吸收层的保留和激光照射，实现对焊接部的熔融，从而方便去除坏点芯片。这一技术应用为修补提供了更高的精确性。
修补方法中的先进流程，将异常芯片的取下和正常芯片的替换有机结合，提高了修补效率和精度。临时载板上的芯片表面设计巧妙，使得修补至驱动基板表面后易于处理。
