韩国科学技术研究院、高丽大学、大邱庆北科学技术大学、日本国立材料科学研究所和科学技术大学的研究人员发表了题为“Probing Optical Multi-Level Memory Effects in Single Core–Shell Quantum Dots and Application Through 2D-0D Hybrid Inverters”的技术论文。
摘要：
“开发用于多级运算计算机的多级存储器器件的挑战对低功耗、超高速运行构成了障碍。为了在算术和存储设备之间有效传输大量数据，光通信技术代表了一种令人信服的解决方案。在这里，通过复制具有 CdSe/ZnS I 型核/壳量子点的浮栅架构，演示了通过激光脉冲操作的 2D–0D 混合光学多级存储器器件。在器件中，激光脉冲产生具有MM特性的线性光学捕获电流，而相反，电压脉冲会一次重置所有捕获电流。假设通过MoS之间的能带排列进行电子转移2和CdSe，该研究还建立了OMM效应的机制。对所设计器件的分析得出了一个新的假设，即面对双ZnS壳层的横向相邻量子点很难进行电荷转移，这是通过分别用精细聚焦的激光脉冲刺激2D-0D混合结构上的不同位置来测试的。结果表明，在2D–0D混合架构中，每个激光脉冲都诱导出独立的MM特性。基于这种现象，我们提出了一种MM逆变器，仅通过使用激光脉冲即可产生MM效应，例如编程和擦除。最后，通过使用卷积神经网络的CIFAR-10模式识别任务，评估了基于所提出的OMM逆变器的全光控智能系统的可行性。
