通用智能研发的8英寸碳化硅(SiC)晶锭剥离产线正式交付客户,标志着激光隐切技术在SiC器件制造领域的巨大进步。
SiC晶锭分割传统采用低效损耗高的切割方式,通用智能采用激光隐切技术成功突破这一难题,大幅提升制程效率。
激光隐形切割通过内部激光切割晶圆,外部压力分离芯片,优势在于不产生硅碎屑、切口更窄、芯片更多。
成立于2019年,通用智能专注高端半导体产业装备与材料研发制造,其晶圆激光隐形切割设备填补国内空白,打破国际垄断。
通用智能的设备在关键参数上领先国际水平,并积极申报知识产权,拥有307件专利,标志着国内SiC设备领域的领先地位。
在2021年和2023年分别完成天使轮和A轮融资,吸引多家知名投资机构的青睐,展现出市场巨大潜力。
国内SiC设备相关企业迎来蓬勃发展期,多家企业如高测股份、宇晶股份、宇环数控都呈现出强劲的发展态势,显示出市场对SiC技术的迫切需求。