MEMS、纳米技术和半导体市场晶圆键合和光刻设备的领先供应商EV集团昨日推出了EVG850 NanoCleave层释放系统，这是第一个采用EVG革命性NanoCleave技术的产品平台。EVG850 NanoCleave 系统使用红外激光器与特殊配方的无机离型材料相结合，在成熟、大批量生产的平台上，能够从硅载体衬底上以纳米级精度释放键合层、沉积层或生长层。因此，EVG3 NanoCleave 无需玻璃载体，可实现用于先进封装的超薄芯片堆叠，以及用于前端处理的超薄 3D 层堆叠，包括高级逻辑、存储器和功率器件形成，以支持未来的 3D 集成路线图。
第一批 EVG850 NanoCleave 系统已经安装在客户工厂，并且正在客户现场和 EVG 总部与客户和合作伙伴进行近二十种产品演示。
硅载体有利于 3D 堆叠和后端处理
在3D集成中，玻璃基板已成为一种成熟的方法，通过与有机粘合剂的临时粘合来构建器件层，使用紫外波长激光溶解粘合剂并释放器件层，随后永久粘合到最终产品晶圆上。然而，玻璃基板很难用主要围绕硅设计的半导体晶圆厂设备进行加工，并且需要昂贵的升级才能实现玻璃基板加工。此外，有机胶粘剂通常仅限于低于300°C的加工温度，限制了其在后端加工中的使用。
使硅载体具有无机离型层，可以避免这些温度和玻璃载体的兼容性问题。此外，红外激光引发的切割具有纳米级精度，可以在不改变记录过程的情况下加工极薄的器件晶圆。这种薄器件层的后续堆叠可实现更高带宽的互连，并为下一代高性能器件的芯片设计和分割提供新的机会。
下一代晶体管节点需要薄层传输工艺
同时，亚 3 纳米节点的晶体管路线图需要新的架构和设计创新，例如埋地电源轨、背面供电网络、互补场效应晶体管和 2D 原子通道，所有这些都需要极薄材料的层转移。硅载体和无机离型层支持前端制造流程的工艺清洁度、材料兼容性和高加工温度要求。然而，到目前为止，硅载体必须通过研磨、抛光和蚀刻工艺完全去除，这导致工作器件层表面的微米级变化，使这种方法不适合在高级节点进行薄层堆叠。
“可释放”熔接
EVG850 NanoCleave 采用红外激光和无机离型材料，可在生产环境中以纳米级精度从硅载流子上进行激光切割。该创新工艺消除了对玻璃基板和有机粘合剂的需求，使超薄层转移和下游工艺的前端工艺兼容。EVG850 NanoCleave的高温兼容性支持最苛刻的前端处理，而室温红外切割步骤可确保器件层和载体基板的完整性。层转移工艺还消除了与载体晶圆研磨、抛光和蚀刻相关的昂贵溶剂的需求。
EVG850 NanoCleave 与 EVG 行业领先的 EVG850 系列自动临时键合/解键合和绝缘体上硅键合系统基于同一平台，具有紧凑的设计和经过 HVM 验证的晶圆处理系统。
EV Group企业研发项目经理Bernd Thallner博士表示：“自EVG于40多年前成立以来，我们的愿景一直是率先探索新技术，并服务于微纳加工技术的下一代应用。最近，3D和异构集成已成为新一代半导体器件性能改进的关键驱动因素。这反过来又使晶圆键合成为继续扩大PPACt的关键过程。通过我们新的EVG850 NanoCleave系统，EVG将临时键合和熔融键合的优势融合到一个多功能平台中，支持我们的客户在先进封装和下一代缩放晶体管设计和制造方面扩展其未来路线图的能力。
