激光通量对脉冲激光沉积制备纳米结构GaN/多孔硅光电性能的影响

　　研究展示了利用脉冲激光沉积制备纳米结构GaN/多孔硅的方法。采用激光辅助电化学刻蚀制备了多孔硅。

　　研究了GaN薄膜的结构、光学和电学特性作为激光通量的函数。

　　XRD研究表明，沉积在多孔硅上的GaN薄膜是纳米晶的，沿平面呈现六方纤锌矿结构。

　　光谱性能结果表明，氮化镓在多孔硅样品上的光致发光PL发射峰为795 mJ/mm2以 260 nm 和 624 nm 为中心。

　　根据形貌和形貌分析，沉积膜由平均直径为178.8 nm、表面粗糙度为50.61 nm的球形晶粒组成。

　　制备的薄膜表面呈现出花椰菜状的形态。

　　研究了纳米结构GaN/P-Si光电探测器在350–850 nm光谱范围内的主要品质因数。

　　在− 3 V下，光电探测器在575 nm处的反应度、探测率和外部量子效率分别为19.86 A/W、8.9 × 1012琼斯和50.89%。

　　此外，制备的光电探测器的激光能量密度为795 mJ/mm2展示了开关特性，其中测量的上升时间和下降时间分别为 363 μs 和 711 μs。