印度理工学院的研究人员推出了一种复杂的碰撞辐射模型,通过精确的电子冲击激发截面计算,深入了解激光产生的铜等离子体。
根据最近发布在《光谱学报B部分:原子光谱学》上的一项研究,通过分析铜中跃迁的电子冲击激发截面,可以发现更多关于激光诱导等离子体诊断的信息。
由Rajesh Srivastava领导的印度理工学院的研究人员通过计算电子冲击激发截面,特别是针对铜3d基态的跃迁,研究了激光生产的铜等离子体的复杂细节104秒2S1/2到各种精细结构能级。研究人员采用完全相对论的扭曲波理论,还考虑了亚稳态的转变,利用通过多构型狄拉克-福克近似理论获得的原子波函数来确保准确性。
计算得到的电子冲击精细结构能级激发截面是建立精细结构分辨碰撞辐射模型的基础。该模型用于在大气压下诊断激光生产的铜等离子体。CR 模型与在存在和不存在静态磁场的情况下进行的空间分辨光学发射光谱测量相结合。
有三条观察到的铜强原子发射线被用于诊断。这些强度是在与铜靶不同的轴向长度下测量的,使用内部参考自吸收法进行校正,以考虑辐射捕获效应。然后,将从 CR 模型得出的归一化强度与其相应的 OES 测量值进行比较,从而能够提取关键的等离子体参数,包括电子温度和电子密度。
详细的 CR 模型考虑了各种过程,例如电子冲击激发和去激发、辐射吸收和衰变、电离以及两体和三体复合。这种方法不仅有助于我们理解激光诱导铜等离子体,而且为提高相关领域的诊断能力提供了机会。
这项综合研究标志着等离子体诊断领域迈出了一大步,为激光生产等离子体研究的未来发展铺平了道路。