10月15日，
莱普科技全国总部
暨集成电路装备研发制造基地项目
在成都高新区
成功举行奠基仪式。
项目名片
项目总投资：
16.6亿元
项目面积：
占地面积39亩，建筑面积6.5万平米
项目规划：
将于2023年10月开工建设，预计2025年5月前通过并联并行竣工验收，2026年5月全面达产。
主要建设内容：
莱普科技全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目(即成都莱普科技股份有限公司总部暨生产基地建设项目)包括企业全国总部、技术中心、制造中心、服务中心以及核心零部件研发及产业化基地，并将同步建设中科院半导体所成都半导体材料先进激光加工技术联合实验室及培训基地、四川省全固态先进激光工程技术研究中心等项目。
企业说项目的落地将有力推动我国半导体领域激光装备和技术的进步。在集成电路制造前道工艺创新、先进激光技术应用与系统集成、核心零部件自主可控、专业人才培养等方面产生积极作用。
莱普科技相关负责人表示
作为成都产业发展高地，成都高新区大力推进新型工业化，持续推动半导体设备材料国产化进程。
成都高新西区鸟瞰图
今年3月，成都高新区发布了《成都高新区集成电路建圈强链三年攻坚计划(2023-2025)》(征求意见稿)，按照“补制造、强设计、扩封测、延链条”的总体思路，以模拟芯片为核心，以算力芯片、存储芯片及功率器件为重点，构建规模大、技术强、要素全的集成电路全产业链，加快“中国存储谷”建设。力争到2025年，实现集成电路产业规模突破1700亿元。
