半导体激光器在现代技术中无处不在，但由于相互竞争的优化目标，创建新颖的器件架构仍然是一个挑战。主要障碍之一是，增加激光波导的宽度可能会由于高阶模式的出现而导致光束质量下降。克服这一障碍的现有技术可能会导致基本模式的损失，需要替代策略。
非厄米光子学最近已成为增强激光性能的有前途的途径。在这些概念中，奇偶时间（PT）对称性已显示出抑制高阶模式和实现单模操作的潜力。还研究了非厄米效应和其他对称概念之间的相互作用，以开发新的设计。然而，由于较高载流子浓度和光功率引起的热效应和谐振频移，尚不确定这些概念是否可以扩展到实际设备。
发表在《光：科学与应用》上的一项新研究（LSA），由助理领导的科学家团队。来自比尔肯特大学材料科学与纳米技术研究所的 Abdullah Demir 教授成功开发出一种新型电泵浦边发射激光芯片，具有前所未有的性能。这种大面积准 PT 对称激光器具有 400 mW 的单模输出功率水平，同时保持与窄波导激光器件相当的光束质量，并且在室温下运行，无需冷却。该器件由两个耦合波导组成，合作伙伴可能仅支持一种模式，该模式设计为与主波导的二阶模式具有相同的传播常数。这允许通过电流注入主波导来选择性泵浦基模，从而实现单模状态下的激光发射。
