锡钙钛矿在无铅钙钛矿太阳能电池中得到了极大的关注。然而，锡钙钛矿表面上的Sn空位和配位不足的Sn离子会产生深能级陷阱，导致非辐射复合和吸收亲核O2分子，阻碍进一步的器件效率和稳定性。
由中国南京邮电大学徐立刚教授领导的研究人员对无铅钙钛矿太阳能电池感兴趣，因为这种电池的深能级陷阱导致效率和稳定性较差。该工作首先将氨基脲盐酸盐引入锡钙钛矿前体中，以制备具有低浓度深能级陷阱的高质量钙钛矿膜。
SEM HCl不仅减少了表面上不配位的Sn2+的数量，而且还调节了本征Sn深能级缺陷。这种全面的调制最终提高了器件性能。SEM HCl中的O=C-N官能团可以与锡钙钛矿的电荷缺陷形成配位相互作用，从而增强缺陷周围的电子云密度，增大空位形成能。
至关重要的是，这种方法有助于降低源于欠配位Sn2+离子和Sn4+氧化的深能级陷阱态密度，这有效地减少了非辐射复合并延长了电荷寿命。因此，TPSC以显著的工作稳定性实现了接近11%的冠军PCE，未封装的器件在AM1.5照明条件下工作100小时后保持了几乎100%的初始效率。这项题为“通过氨基脲盐酸盐添加剂抑制高性能锡基钙钛矿太阳能电池的深能级陷阱”的工作发布在《光电子前沿》上。
