UNIST半导体材料与器件工程研究生院和材料科学与工程系的研究人员在Soo-Hyun Kim教授的指导下，在发现贵金属的精确控制原子层沉积掺入方面取得了重大进展。
在这项开创性的研究中，研究人员使用原子层沉积程序首次成功地创造了新颖且未开发的二维纳米材料V-MXene与有价值的元素钌相结合。这项创新在人机界面的接触式和非接触式实时温度传感应用中具有巨大的应用潜力。
与原始 V-MXene 相比，ALD 集成的 Ru 工程 V-MXene 在耐久性和设备传感能力方面表现出惊人的 300% 改进。这一发展不仅为生产多用途、最先进的个人医疗保健设备打开了大门，而且在增强可持续能源转换和存储技术方面也具有巨大潜力。
此外，本研究使用工业可扩展的原子层沉积工艺，通过实现对有价金属的MXene表面进行精确工程，为未来的应用开辟了新的途径。
UNIST半导体材料与器件设计研究生院副教授Debananda Mohapatra博士使用广泛使用的ALD程序，强调了使用贵金属设计MXene表面的简单性和适应性。此外，他还强调了在可持续能源和可穿戴医疗技术领域的实时应用潜力。
研究小组还强调了在较少探索的非Ti-MXenes上使用选定的贵金属原子层沉积程序进行表面内部结构工程的巨大潜力。贵金属可以作为单个原子或原子团簇添加，以显着提高所得表面活性和每个原子的灵敏度/能量性能。
这种策略减少了这些昂贵和稀有贵金属的使用量。
2023年4月26日，该调查结果在线发布在《高级科学》杂志上。韩国国家研究基金会和科学与信息通信技术部资助了这项研究。
