上海光机所在超宽带通信用铋近红外发光材料研究中取得进展

　　近年来，云计算、物联网和大数据的急速发展，使全球网络数据传输量急剧增加，对通信网络的传输性能提出更高要求。传统光纤无法满足这一增长需求，因此对新型增益放大介质的需求日益迫切。在这一背景下，铋/锗共掺硅基玻璃光纤成为备受研究关注的新型光通信材料，因其在E+S波段和L+波段的宽带近红外发光具有巨大潜力。

　　铋离子捕获锗氧空位缺陷：在研究中，通过溶胶-凝胶法制备铋/锗共掺杂硅基玻璃，确定铋离子捕获锗氧空位缺陷(Ge-ODC)的机理。这种过程形成了近红外发光的铋活性中心(BAC-Ge)，并在Ge-ODC周围实现能量传递。

　　新型高增益光纤：在此基础上，成功制备了可在1680~1750 nm波段实现高增益系数放大的铋锗共掺硅基光纤。这项国内首创填补了高锗铋共掺硅基光纤领域的空白，其超宽带增益放大性能有望成为下一代通信传输光纤的重要选择。

　　通过对铋/锗共掺杂硅基玻璃的深入研究，揭示了铋离子形成近红外发光的机理，同时成功制备了国内首个高锗铋共掺硅基光纤。这一成果为通信光纤领域带来了新的可能性，预示着未来光通信领域将迎来更加广阔的发展前景。