据报道，为了巩固其在NAND闪存市场的领先地位，三星电子计划再次采用双堆叠技术来制造超过300层的3D NAND，旨在以生产成本优势超越竞争对手。
韩国媒体消息称，三星计划于2024年量产超过300层的第9代3D NAND。预计将采用双堆叠技术生产，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。2020年，三星从第7代176层3D NAND芯片开始首次采用双堆叠技术。
近日，SK海力士宣布计划于2025年开始量产321层3D NAND，这让三星和许多业内专家都感到惊讶。SK海力士与三星战略的不同之处在于，它将采用三重堆叠技术，涉及生产三组独立的3D NAND层，每组分别堆叠为120层、110层和91层，然后组合成一个芯片。
在去年10月份举办的“三星技术日2022”上，三星公布了到2030年实现堆叠多达1000层的愿景。当时，业内专家猜测，在第9代3D NAND之后，三星可能会在第10代430层产品中采用三重堆叠技术。
韩国业内人士一致认为，如果不采用三重堆叠工艺，3D NAND要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。然而，三重堆叠技术和双堆叠技术在成本和效率方面仍然存在显著差异。显然，使用双堆叠工艺在原材料和生产成本方面具有优势。
据报道，三星内部已准备好技术路线图，表明其第10代3D NAND将采用三重堆叠工艺。另据报道，该公司正在与东京电子(TEL)等半导体设备合作伙伴密切合作，以增强成本竞争力。
业内人士指出，存储业务严重下滑后，三星的危机感更加强烈，其最新的3D NAND部署策略可以被视为迎接2024年存储市场复苏的关键一步。
原标题：三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片，采用双堆叠工艺
