报告称Samsung Foundry在3nm芯片工艺上的良率已达到了60%，已超过台积电的55%

　　根据最新报告，Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率达到了 60%，高于台积电(55%)。

　　报道称三星大力发展 3nm，不断提升生产工艺、提高生产良率，目前已经将良率提升到 60%，该媒体认为三星会在超先进芯片制造技术上胜过台积电。

　　报告中也指出三星目前在 4nm 工艺方面良率为 75%，和台积电(80%)存在差距，不过通过发力 3nm，有望在未来超过台积电。

　　报告中还指出由于台积电的大部分订单都被苹果预订，英伟达、高通等公司都对三星的第二代 3nm(SF3)工艺感兴趣。

　　此前报道，Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。