日本财团 Rapidus 负责人小池淳义近日在接受 EE Time 采访时表示，不和台积电竞争的情况下，稳步推进硅片加工方法商用。
小池淳义表示在日本《芯片法案》(CHIPS Act)的推动下，启动日本唯一一家制造先进硅工艺的半导体工厂，和行业巨头台积电相比，仅落后 2 年时间。
小池淳义在造访布鲁塞尔期间接受了该媒体采访，他表示 Rapidus 专家团队现在大约 100 人，第一批已经在纽约州的 IBM 完成了相关培训。IBM 是 Rapidus 的主要技术捐助者，曾于 2021 年展示了采用 2nm 技术制造的存储原型。
此前报道，Rapidus 计划基于 IBM 2nm 工艺技术开发“Rapidus 版”制造技术，2025 年开始逻辑半导体试产，2027 年量产。Rapidus 版本的生产技术主要集中在两个主要领域：
预计需求将增长的“高性能计算(HPC)”芯片
预测智能手机未来的“Ultra Low Power(超低功耗)” 芯片
小池淳义在采访中表示，Rapidus 将独立测试和封装其制造的半导体元件，这不仅会缩短生产周期的长度，而且可以增加利润。
Rapidus 希望对每个硅晶圆的加工实施快速反馈，这将大大加快识别缺陷和问题的过程，并最终加快成品的上市时间。
Rapidus 不会与台积电竞争，而是更愿意继续成为专注于服务器领域、汽车行业、通信网络，量子计算和智能城市方面的利基制造商。
