根据韩媒 Businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 内存后段生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 内存样品的请求。
报道指出，由于市场对人工智能半导体的需求增加，SK海力士正在考虑将HBM存储器产能扩增一倍的计划。 而且，市场消息指SK海力士于6月14日收到了英伟达对HBM3E内存样品送测的请求，正在准备发货当中。
目前，HBM3E 内存是当前可用的最高规格DRAM HBM3存储器的下一代产品，被誉为是第五代半导体存储器。 目前SK海力士正致力于开发该产品，目标是在2024年上半年实现量产。
报导表示，SK海力士高层在2023年4月的第一季财报会议上透露，公司正在为2023年下半年准备8Gbps HBM3E内存样品，并计划在2024年上半年达成该产品的量产。 根据市场调查机构TrendForce的报告指出，截至2022年为止，SK海力士在全球HBM内存市场上达到50%的市场占有率，而三星电子则保持在40%左右，显示目前SK海力士在HBM内存市场已经领先于三星电子。
2022 年 6 月，SK 海力士成为世界上第一个大规模生产高性能 HBM3 内存的公司，进一步奠定其市场领导地位。 在通过HBM3内存样品的严格性能评估后，成功满足了高端客户的需求，目前已经搭上英伟达H100 AI芯片的销售。 而如果 SK 海力士能够成功交付 HBM3E 内存，将进一步巩固他们在高带宽内存于 AI 芯片市场上的领先地位。
