目前，平面显示器市场主要采用液晶显示技术（LCD）或OLED等显示技术，应用范围从大型信息显示器、电视屏幕到平板电脑、以及智能手机和扩增/虚拟现实（AR/VR）等。 LCD大多是利用LED背光穿过液晶矩阵来产生影像，而OLED显示器则是自发光的显示技术，采用响应电流而发光的有机化合物。
未来，预计元宇宙（Metaverse）的使用不仅限于商业领域，还更会在家庭市场中普及。 因此全球各大业者都积极投入VR或 AR 眼镜的开发。 例如，Google发布的VR眼镜，而Micro LED就成了未来对更小、更轻、更节能的高分辨率显示器的高度潜力技术。
各种新一代Micro LED电气驱动技术方案陆续被提出
比起传统的显示器，目前最新的Micro LED显示器具有更多颜色、更高亮度以及更低功耗的技术。 Micro LED是传统LED的微型版本（1 mm或更大），尺寸小于50μm。
传统的LED是单独封装的，而Micro LED则大量定位红色、绿色和蓝色Micro LED的像素组件，在基板上进而形成显示器。 而这些颜色是由的构成是由无机材料的能隙所决定。 例如，磷化铝铟镓、砷化镓（GaAs）和磷化镓（GaP）会产生红光，氮化铟镓（InGaN）则是发出绿光。
目前包括苹果等业者都竞相开发Micro LED，不过目前最大问题还是在Micro LED的成本，以及稳定的供应。 尤其是红色LED，由于砷化镓（GaAs）和磷化镓（GaP）是易碎材料，折射率高，光取出效率低，因此很难进行微小化，同时在实现高效率方面也存在挑战。
因此日本Nitride Semiconductors，就以Micro UV-LED来激发红、蓝、绿3种荧光粉，开发Micro LED量产技术。 因此，用户只要通过目前常用的巨量转移技术，就可实现Micro LED显示器的量产。
不只在量产技术、降低成本等方面各业者都积极的开发出更先进的技术，另一方面，在电气驱动部分，也开始有业者提出各种新的技术方案。
Micro LED可通过主被动方式来驱动
Micro LED显示器是通过晶体管阵列背板来控制着主动矩阵型Micro LED的开关，以及驱动显示器的各个像素。 根据背板材料的不同，Micro LED可以分为两种类型（图二）：
第一种是使用在标准CMOS制程中产生的硅（Si）基晶体管，这些晶体管可以做得非常精细，进而减少背板的像素间距，达到高分辨率AR/VR应用和投影的理想选择。 然而硅背板的成本相对昂贵，并且不容易大型化，以及无法透光等缺点。
第二种类型使用由非晶硅（Amorphous silicon; a-Si）、低温多晶硅（LTPS）或氧化铟镓锌（IGZO）等制成的薄膜晶体管。 TFT可以在比硅大的基板上制造，因此在大规模生产下，有可能降低单位面积的成本。
这样的技术下，潜力应用是针对大型模组显示器，目标是家庭、电影院、广告或会议厅的大型电视或电视墙。 根据模块的大小和数量，最终的显示尺寸可能超过200吋。 因此对于这样的市场领域，基于TFT技术的Micro LED预计将比基于TFT的OLED表现更好。 这是因为Micro LED的效率更高，在相同的驱动电流下可以获得更高的亮度。 此外，没有「有机层」（Organic Layer）更意味着 Micro LED显示器完全不需要封装，这有利于模组之间的无缝转换。 而对于OLED来说，每个模组都需要单独封装。
另一方面，与OLED所不同的是，应用于大型显示的Micro LED不能在同一基板上单片式（monolithic）的生产。 因此，需要采用转移后置放的制造方法，而Micro LED也需要使用三种不同的磊芯片（分别产生红光、蓝光和绿光）制造，在切割后，透过高速取放系统转移到TFT背板上。
