路透社报道,德国博世集团4月26日表示,将收购总部在美国加州的TSI半导体,并投资15亿美元扩大在美国的碳化硅(SiC)芯片产能,以供电动汽车所需。 但博世和TSI并未公布交易金额。
博世声明表示,投入的15亿美元将用于更新TSI加州罗斯维尔工厂芯片生产设备,预计2026年开始生产碳化硅芯片; 这次投资将取决于透过美国芯片法案获得联邦资金的机会与州政府补贴。
博世指出,TSI的工厂将与德国的2个工厂,一起成为公司半导体生产的第三大支柱。 博世董事长哈通表示:「在并购TSI后,我们将在一个重要销售市场建立产能,这也会增加我们在全球的半导体产能。」
过去2年,博世因亚洲半导体生产中断而遭到重创,疫情期间加剧了这种情况,博世的汽车制造商客户继续推动更安全、多样化的车用芯片来源。
博世表示,将在TSI罗斯维尔工厂生产的碳化硅芯片,越来越受到电动汽车制造商的需求,因碳化硅化学物质可实现更大的行驶里程和更快的充电速度; 该公司预估表示,碳化硅半导体的需求每年成长30%。