由Keon Jae Lee教授领导的KAIST研究团队展示了通过微真空力的选择性调制来转移印刷大量微型无机半导体芯片。这项研究题为“通过微真空力进行通用选择性转移打印”，发布在《自然通讯》杂志上。
MicroLED是下一代显示器的光源，采用尺寸小于100μm的无机LED芯片。与LCD、OLED和QD等传统显示器相比，MicroLED具有优异的电学/光学特性、可靠性和稳定性，因此备受关注。
为了将microLED商业化，转移印刷技术对于将microLED芯片从生长基板重新排列到最终基板上并具有所需的布局和精确对准至关重要。然而，以前的转印方法仍然存在许多挑战，例如需要额外的粘合剂、错位、转印良率低和芯片损坏。
李教授的研究团队研发了一种微真空辅助选择性转印技术，通过调节微真空吸力来转印大量microLED芯片。
该关键技术依赖于激光诱导蚀刻方法，以高达每秒7000个孔的制造速度在玻璃基板上形成具有高纵横比的 20 μm 大小的微孔阵列。LIE钻孔玻璃连接到真空通道，控制所需孔阵列处的微真空力，以选择性地拾取和释放microLED。
与以往的转印方法相比，微真空辅助转印实现了更高的附着力切换性，能够将具有各种异质材料、尺寸、形状和厚度的微型半导体组装到任意基板上，并具有高转印良率。
李教授说：「微真空辅助转移为大规模、选择性地集成微尺度高性能无机半导体提供了一个有趣的工具。目前，我们正在研究带有喷射器系统的商用microLED芯片的转移印刷，用于下一代显示器和可穿戴光疗贴片的商业化。
